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Physics of Semiconductor Devices
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Physics of Semiconductor Devices

Colinge, J. P. ; Colinge, C. A.

Boston, MA : Springer US, 2002

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2
FinFETs and Other Multi-Gate Transistors
FinFETs and Other Multi-Gate Transistors
FinFETs and Other Multi-Gate Transistors
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FinFETs and Other Multi-Gate Transistors

J.-P Colinge ; Jean-Pierre Colinge

Springer US, 2008

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3
Physics of Semiconductor Devices
Physics of Semiconductor Devices
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Physics of Semiconductor Devices

Jean-Pierre Colinge ; C. A Colinge; Cynthia A Colinge; J.-P Colinge

Dordrecht Springer US, 2002

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4
Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices
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Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices

Colinge, J. P. ; Lysenko, V. S. ; Nazarov, A. N.

Dordrecht : Springer Netherlands, 1995

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5
Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications
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Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications

Balestra, Francis. ; Colinge, J.-P. ; Gamiz, Francisco. ; Lysenko, V.S. ; Nazarov, Alexei. ; Raskin, Jean-Pierre.

Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2011

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6
Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications
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Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications

Balestra, Francis ; Colinge, J.-P ; Gamiz, Francisco ; Lysenko, V.S ; Nazarov, Alexei ; Raskin, Jean-Pierre

Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2011

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7
Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications
Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications
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Livre
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Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications

J.-P. Colinge, Francis Balestra, Jean-Pierre Raskin, Francisco Gamiz, V.S. Lysenko Alexei Nazarov ; Francis Balestra; J.-P Colinge; Francisco Gamiz; V.S Lysenko; Alexei Nazarov; Jean-Pierre Raskin

Springer Berlin Heidelberg, 2011

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8
Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices
Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices
Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices
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Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices

J. P. Lysenko, V. S. Nazarov, A. N. Colinge

Springer Netherlands, 1995

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9
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Article
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Tungsten metallization technology for high temperature silicon-on-insulator devices

Chen, Jian ; Colinge, J.-P.

Materials Science & Engineering B, 1995, Vol.29(1), pp.18-20 [Revue évaluée par les pairs]

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10
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Article
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Fully depleted SOI-CMOS technology for high temperature IC applications

Gentinne, B. ; Eggermont, J.-P. ; Flandre, D. ; Colinge, J.-P.

Materials Science & Engineering B, 1997, Vol.46(1), pp.1-7 [Revue évaluée par les pairs]

Texte intégral disponible

11
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Article
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Modelling and application of fully depleted SOI MOSFETs for low voltage, low power analogue CMOS circuits

Flandre, D. ; Ferreira, L.F. ; Jespers, P.G.A. ; Colinge, J.-P.

Solid State Electronics, 1996, Vol.39(4), pp.455-460 [Revue évaluée par les pairs]

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12
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Article
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Measurement and modeling of thin-film accumulation-mode SOI p-MOSFET intrinsic gate capacitances

Gentinne, B ; Flandre, D ; Colinge, J-P ; Gentinne, B (correspondence author)

Solid-State Electronics:An International Journal, 1996, Vol.39(7), pp.1071-1078 [Revue évaluée par les pairs]

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13
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Article
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Research of high-temperature instability processes in buried dielectric of full depleted SOI MOSFET's

Nazarov, A.N. ; Colinge, J.-P. ; Barchuk, I.P.

Microelectronic Engineering, 1997, Vol.36(1), pp.363-366 [Revue évaluée par les pairs]

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14
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Article
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Measurement and modeling of thin-film accumulation-mode SOI p-MOSFET intrinsic gate capacitances

Gentinne, B. ; Flandre, D. ; Colinge, J.-P.

Solid State Electronics, 1996, Vol.39(7), pp.1071-1078 [Revue évaluée par les pairs]

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15
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Article
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Association of high-temperature kink-effect in SIMOX SOI fully depleted n-MOSFET with bias temperature instability of buried oxide

Nazarov, A.N. ; Barchuk, I.P. ; Lysenko, V.S. ; Colinge, J.-P.

Microelectronic Engineering, 1999, Vol.48(1), pp.379-382 [Revue évaluée par les pairs]

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16
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Article
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Measurement and two-dimensional simulation of thin-film SOI MOSFETs: Intrinsic gate capacitances at elevated temperatures

Gentinne, B. ; Flandre, D. ; Colinge, J.-P. ; Van De Wiele, F.

Solid State Electronics, 1996, Vol.39(11), pp.1613-1619 [Revue évaluée par les pairs]

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17
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Article
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Physics and performances of accumulation-mode SOI p-MOSFET's from low (77 K) to high (150–320°C) temperatures

Flandre, D. ; Terao, A. ; Loo, T. ; Colinge, J.-P.

Microelectronic Engineering, 1992, Vol.19(1), pp.803-806 [Revue évaluée par les pairs]

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18
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Article
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Low temperature behaviour of submicron accumulation mode p-channel SOI MOSFETs

Rotondaro, A.L.P. ; Magnusson, U. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Colinge, J-P.

Microelectronic Engineering, 1992, Vol.19(1), pp.857-860 [Revue évaluée par les pairs]

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Revue critique
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Systems biology analysis of protein-drug interactions

Colinge, J ; Rix, U ; Bennett, K ; Superti-Furga, G ; Colinge, J (correspondence author)

Proteomics Clinical Applications, Jan 2012, Vol.6(1-2), pp.102-116 [Revue évaluée par les pairs]

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20
Material Type:
Article
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A cellular screen identifies ponatinib and pazopanib as inhibitors of necroptosis

A Fauster ; M Rebsamen ; K V M Huber ; J W Bigenzahn ; A Stukalov ; C-H Lardeau ; S Scorzoni ; M Bruckner ; M Gridling ; K Parapatics ; J Colinge ; K L Bennett ; S Kubicek ; S Krautwald ; A Linkermann ; G Superti-Furga

Cell Death and Disease, 2015, Vol.6(5), p.e1767 [Revue évaluée par les pairs]

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